Оставьте свои контакты, и мы перезвоним
Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности
Лабораторный стенд LPT-10
Установка для измерения характеристик полупроводникового лазера
Установка для измерения характеристик полупроводникового лазера
Данная лабораторная работа направлена на исследование основных характеристик полупроводникового лазера с помощью специализированной измерительной установки. В процессе выполнения эксперимента определяются зависимости выходной оптической мощности от тока накачки, а также пороговый ток и КПД лазера. Особое внимание уделяется изучению режима генерации и стабильности лазерного излучения. Работа позволяет на практике ознакомиться с принципами работы полупроводниковых лазеров и их важнейшими параметрами, что имеет большое значение для применения в оптоэлектронике и телекоммуникациях.
Эксперименты:
1. Измерение распределения интенсивности лазерного пучка в дальней зоне и вычисление углов расходимости по вертикали и горизонтали.
2. Измерение вольт-амперной характеристики.
3. Определение зависимости выходной оптической мощности от тока и измерение порогового тока.
4. Измерение зависимости выходной мощности от тока при различных температурах и анализ температурных характеристик.
5. Изучение поляризационных характеристик выходного излучения и вычисление степени поляризации.
6. Дополнительный эксперимент: проверка закона Малюса.
1. Измерение распределения интенсивности лазерного пучка в дальней зоне и вычисление углов расходимости по вертикали и горизонтали.
2. Измерение вольт-амперной характеристики.
3. Определение зависимости выходной оптической мощности от тока и измерение порогового тока.
4. Измерение зависимости выходной мощности от тока при различных температурах и анализ температурных характеристик.
5. Изучение поляризационных характеристик выходного излучения и вычисление степени поляризации.
6. Дополнительный эксперимент: проверка закона Малюса.
Лабораторный стенд LPT-10
Установка для измерения характеристик полупроводникового лазера, 1 шт
Установка для измерения характеристик полупроводникового лазера, 1 шт
По запросу
RUB
(Лабораторный стенд поставляется в упаковочных кейсах с ложементом, методическим описанием, комплектом крепёжных
элементов, набором для чистки оптики и инструментами)
элементов, набором для чистки оптики и инструментами)
Лабораторный стенд LPT-10
Установка для измерения характеристик полупроводникового лазера, 1 шт
Установка для измерения характеристик полупроводникового лазера, 1 шт
По запросу
RUB
(Лабораторный стенд поставляется в упаковочных кейсах с ложементом, методическим описанием, комплектом крепёжных
элементов, набором для чистки оптики и инструментами)
Технические характеристики:
элементов, набором для чистки оптики и инструментами)
Технические характеристики:
1) Полупроводниковый лазер: выходная мощность < 2 мВт, центральная длина волны: 650 нм
2) Источник питания лазера: диапазон: 0 ~ 4 В (плавная регулировка), разрешение 0.01 В
3) Фотодетектор: кремниевый детектор, диаметр апертуры 2 мм
4) Датчик угла: диапазон измерения: 0 – 180°, разрешение 0.1°
5) Поляризатор: апертура 20 мм, угол поворота 0 – 360°, разрешение 1°
6) Экран: размер 150 мм × 100 мм
7) Вольтметр: диапазон измерения 0 – 20.00 В, разрешение 0.01 В
8) Измеритель мощности лазера: диапазон от 2 мкВт до 2 мВт
9) Контроллер температуры: диапазон от комнатной температуры до 80 °C, разрешение 0.1 °C
2) Источник питания лазера: диапазон: 0 ~ 4 В (плавная регулировка), разрешение 0.01 В
3) Фотодетектор: кремниевый детектор, диаметр апертуры 2 мм
4) Датчик угла: диапазон измерения: 0 – 180°, разрешение 0.1°
5) Поляризатор: апертура 20 мм, угол поворота 0 – 360°, разрешение 1°
6) Экран: размер 150 мм × 100 мм
7) Вольтметр: диапазон измерения 0 – 20.00 В, разрешение 0.01 В
8) Измеритель мощности лазера: диапазон от 2 мкВт до 2 мВт
9) Контроллер температуры: диапазон от комнатной температуры до 80 °C, разрешение 0.1 °C
Дополнительные опции:
Учебный оптический стол ОТ750-1200 с дополнительным оснащением (полка, защитные экраны), 1 шт.
340000
RUB