Оставьте свои контакты, и мы перезвоним
Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности
Лабораторный стенд LF-1001
Изучение процессов накачки твердотельного лазера на кристалле Y3Al5O12:Nd
Изучение процессов накачки твердотельного лазера на кристалле Y3Al5O12:Nd
· Полупроводниковая накачка
· Управление лазерным пучком
· Поглощение кристалла Y3Al5O12:Nd
· Детектирование ИК-излучения
· Визуализация излучения
· Зависимость длины волны излучения и мощности диода от температуры
· Управление лазерным пучком
· Поглощение кристалла Y3Al5O12:Nd
· Детектирование ИК-излучения
· Визуализация излучения
· Зависимость длины волны излучения и мощности диода от температуры
Целью лабораторной работы является определение оптимального значения длины волны полупроводникого лазера при накачке на уровень 4F5/2 ионов Nd3+ в кристаллах Y3Al5O12:Nd.
Методика, используемая в настоящей работе для получения контура спектра поглощения 4I9/2→4F5/2 ионов Nd3+ в кристаллах Y3Al5O12:Nd, основана на зависимости длины волны излучения полупроводникового лазерного диода от температуры. Для получения контура спектра поглощения для перехода 4I9/2→4F5/2 ионов Nd3+ необходимо для фиксированной температуры полупроводникового лазерного диода зарегистрировать с помощью фотодетектора интенсивность излучения полупроводникового лазера в отсутствии и при наличии стержня из кристалла Y3Al5O12:Nd.
Методика, используемая в настоящей работе для получения контура спектра поглощения 4I9/2→4F5/2 ионов Nd3+ в кристаллах Y3Al5O12:Nd, основана на зависимости длины волны излучения полупроводникового лазерного диода от температуры. Для получения контура спектра поглощения для перехода 4I9/2→4F5/2 ионов Nd3+ необходимо для фиксированной температуры полупроводникового лазерного диода зарегистрировать с помощью фотодетектора интенсивность излучения полупроводникового лазера в отсутствии и при наличии стержня из кристалла Y3Al5O12:Nd.
(Лабораторный стенд поставляется в упаковочных кейсах с ложементом, методическим описанием, комплектом крепёжных
элементов, набором для чистки оптики и инструментами)
элементов, набором для чистки оптики и инструментами)
Некоторые упражнения, которые позволяет выполнять стенд LF-1001:
· Определение контура спектра поглощения, соответствующего переходу 4I9/2→4F5/2 ионов Nd3+ в кристалле Y3Al5O12:Nd
· Определение времени жизни верхнего лазерного уровня 4F3/2 ионов Nd3+ в кристалле Y3Al5O12:Nd;
· Измерение зависимости выходной мощности диодного лазера от температуры.
(Лабораторный стенд поставляется в упаковочных кейсах с ложементом, методическим описанием, комплектом крепёжных
элементов, набором для чистки оптики и инструментами)
В составе:
элементов, набором для чистки оптики и инструментами)
В составе:
1) Лазерный диодный модуль в держателе (P=1 Вт, λ=808 нм), 1 шт.
2) Терминал управления диодным лазерным модулем, 1 шт.
3) Оптический рельс, 1 шт.
4) Коллимирующая линза в держателе, 1 шт.
5) Фокусирующая линза в держателе, 1 шт.
6) Активный элемент из кристалла Y3Al5O12:Nd, 1шт.
2) Терминал управления диодным лазерным модулем, 1 шт.
3) Оптический рельс, 1 шт.
4) Коллимирующая линза в держателе, 1 шт.
5) Фокусирующая линза в держателе, 1 шт.
6) Активный элемент из кристалла Y3Al5O12:Nd, 1шт.
7) Диафрагма в держателе, 1 шт.
8) Светофильтр в держателе, 1 шт.
9) Фотодетектор, 1 шт.
10) Мультиметр цифровой, 1 шт.
11) Визуализатор лазерного излучения, 1 шт.
8) Светофильтр в держателе, 1 шт.
9) Фотодетектор, 1 шт.
10) Мультиметр цифровой, 1 шт.
11) Визуализатор лазерного излучения, 1 шт.
Дополнительные опции: