1) Полупроводниковый лазер:
– Непрерывная выходная мощность ≤ 500 мВт
– Центральная длина волны: 808 ± 10 нм
– Диапазон рабочих температур: 10 ~ 40 °C
– Ток накачки: 0 ~ 500 мА
2) Кристалл Nd:YVO4:
– Концентрация ионов Nd3+: 0.1 ~ 3 атм.%
– Размеры: 3×3×1 мм
– Плоскостность: < λ/10@632.8 нм
– Просветление: AR@1064 нм, отражение R < 0.1%, пропускание T@808 нм > 90%
3) Кристалл KTP:
– Диапазон пропускания: 0.35 ~ 4.5 мкм
– Электрооптический коэффициент: R₃₃ = 36 пм/В
– Размеры: 2×2×5 мм